Disco SSD Kingston DC600M 960GB/ SATA III
| Marca: | KINGSTON |
|---|---|
| P/N: | SEDC600M/960G |
| EAN: | 740617334913 |
| Disponibilidad: | Disponible |
515,00 ¤
*IVA y CANON IncluidoDisco SSD empresarial SATA DC600M de 2,5”
Almacenamiento SATA 3.0 de 6 Gbps para cargas de trabajo de uso mixto
El disco DC600M de Kingston es un SSD SATA 3.0 de cuarta generación para centros de datos, que alcanza 6 Gbps SSD, con NAND TLC 3D previsto para cargas de trabajo de “uso mixto”. El DC600M es idóneo para utilizar en servidores de altos volúmenes montados en bastidor, e incluye PLP (protección contra pérdidas de alimentación) interno basado en hardware. Mediante condensadores contra pérdidas de alimentación, el DC600M protege los datos contra cortes eléctricos imprevistos para reducir la posibilidad de pérdidas de datos y garantizar que la unidad se reinicializará sin problemas en el siguiente arranque del sistema. El DC600M ha sido diseñado para ofrecer la homogeneidad de latencia y de IOPS que requieren los integradores de sistemas, los centros de datos de hiperescala y los prestadores de servicios en la nube.
Diseñado para entornos de centros de datos
Optimizado para satisfacer la elevada demanda de las aplicaciones RAID de servidor, con baja latencia y homogeneidad de E/S como criterios fundamentales del diseño.
PLP basada en hardware
Condensadores de protección de cortes de alimentación para proteger los datos del usuario contra interrupciones imprevistas de fluido eléctrico y mejorar el rendimiento.
Excelente Calidad de servicio (QoS)
Previsibilidad de rendimiento optimizada para cumplir los contratos de nivel de servicio (SLA).
- Diseñado para entornos de centros de datos
- Protección contra pérdidas de alimentación (PLP) incorporada
- Latencia y IOPS homogéneas; QoS fiable
- Incluye software de clonación Acronis
- Hasta 560MB/s en lectura y 530MB/s en escritura
Especificaciones
Almacenamiento
Capacidad: 960 GB
Formato: 2.5 pulgadas
Interfaz: SATA III 6 Gb/s compatible con SATA II 3 Gb/s
Tipo de memoria: NAND 3D TLC
Caché: DRAM integrada
Velocidad de lectura: Hasta 560 MB/s
Velocidad de escritura: Hasta 530 MB/s
IOPS lectura 4K: Hasta 94000
IOPS escritura 4K: Hasta 65000
Latencia lectura: 200 µs
Latencia escritura: 300 µs
Latencia típica lectura: Menos de 200 µs
Latencia típica escritura: Menos de 30 µs
Resistencia: 1752 TBW
MTBF: 2000000 horas
Tecnologías: Hot-swap, Wear Leveling estático y dinámico, S.M.A.R.T., protección ante pérdida de energía
Consumo energético
Consumo en reposo: 1.30 W
Consumo medio: 1.45 W
Consumo máximo lectura: 1.6 W
Consumo máximo escritura: 3.6 W
Condiciones de funcionamiento
Temperatura de funcionamiento: 0 °C a 70 °C
Temperatura de almacenamiento: -40 °C a 85 °C
Resistencia a vibraciones en funcionamiento: 2.17 G
Resistencia a vibraciones en reposo: 20 G
Tasa de error de bits: ≤10^-17
Diseño
Dimensiones: 100 x 69.9 x 7 mm
Peso: 92.34 g